| Yonhap News報導(dǎo)，南韓知識經(jīng)濟部4日宣布，三星電子(Samsung Electronics Co.)在去(2011)年12月6日申請在中國大陸興建高階NAND型閃存廠房的計劃已獲得產(chǎn)業(yè)科技安全委員會批準(zhǔn)。
知識經(jīng)濟部在聲明稿中指出，產(chǎn)業(yè)科技安全委員會曾召開兩次會議，評估三星保護科技的計劃、在大陸擴充市場的需求以及技術(shù)外泄的可能性，并作出讓三星前往大陸建廠的決定。
知識經(jīng)濟部表示，三星的廠房興建計劃仍需獲得大陸政府的核準(zhǔn)，一旦完成所有行政程序，三星就會在今年下半年開始動工。目前廠房的興建地點還未決定，而竣工后該廠每個月將能生產(chǎn)10,000片12吋晶圓。
知識經(jīng)濟部指出，一般來說，海外建廠計劃通常只需檢查是否有技術(shù)外泄的疑慮，但本次評量還額外包括三星的計劃是否會沖擊到南韓經(jīng)濟。考慮到這項計劃的重要性，委員會曾要求三星提出如何處理該公司在南韓投資可能萎縮的補救措施，并評估這項計劃對南韓經(jīng)濟造成的沖擊。
此外，三星也已同意，在大陸制造的終端產(chǎn)品將內(nèi)建相同份量的南韓制零組件，同時還將擴大在南韓本土的投資。
三星曾于去年12月6日表示，該公司擬首度在中國大陸設(shè)立一座NAND型閃存生產(chǎn)廠，主因該地生產(chǎn)成本較為低廉以及政府樂于鼓勵外商投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。這座新廠預(yù)定在2012年動工興建，到了2013年便可望投產(chǎn)。英國金融時報報導(dǎo)，分析師估算三星對此廠的投資將介于4-6兆韓圜之間。 |
